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2013/08/07
三星電子が世界初の3次元メモリー半導体の時代を開いた。 既存の平面半導体の限界を越えた3D垂直ネンドフラッシュメモリーは、容量と性能を画期的に改善したという評価だ。製品容量は業界最大である128Gb(ギガビット)。1,280億メモリーの保存場所を爪の大きさほどのチップに入れることができる。 (c)innolife